报告题目：宽禁带半导体材料与器件

报告地点：北辰校区图书馆第三会议室

前沿讲坛时间：2021年11月12日16：00-17：30

专家简介：

赵德刚，男，1972年出生，博士，中国科遊雅堂 ウェルカムフリーベット半导体所研究员、博士生导师、光电子研究发展中心主任，国家杰出青年科学基金获得者，中国青年科技奖获得者，国家百千万人才工程入选者，国家中青年科技创新领军人才入选者，国家万人计划入选者，国家重点研发计划首席科学家，享受国务院政府特殊津贴专家。主要从事氮化镓(GaN)基光电子材料生长与器件研究，对材料生长机理、材料物理、器件设计及器件物理有较深入的理解和认识，解决了GaN材料大失配异质外延技术等关键难题，生长出世界最高电子迁移率的GaN材料，研制出我国第一支GaN基紫外激光器、长寿命大功率蓝光激光器和紫外雪崩光电探测器，还在碳杂质研究做出了系统性、创新性工作。发表SCI论文300篇，获得国家发明专利40多项。